型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 40000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube49111+￥38.100610+￥35.9145100+￥34.2905250+￥34.0407500+￥33.79091000+￥33.50982500+￥33.26005000+￥33.1038 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 500V 45000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FL Tube66721+￥47.531210+￥44.8040100+￥42.7781250+￥42.4664500+￥42.15471000+￥41.80412500+￥41.49245000+￥41.2976 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 40000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube93285+￥28.758650+￥27.5296200+￥26.8414500+￥26.66931000+￥26.49722500+￥26.30065000+￥26.17777500+￥26.0548 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 41200mW 3Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube18741+￥48.922010+￥46.1150100+￥44.0298250+￥43.7090500+￥43.38821000+￥43.02732500+￥42.70655000+￥42.5060 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Strobe IGBT35005+￥6.331525+￥5.862550+￥5.5342100+￥5.3935500+￥5.29972500+￥5.18255000+￥5.135610000+￥5.0652 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT80471+￥43.041610+￥40.5720100+￥38.7374250+￥38.4552500+￥38.17301000+￥37.85542500+￥37.57325000+￥37.3968 -
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品类: IGBT晶体管描述: * Low collector to emitter saturation voltage * VCE(sat) = 1.35V typ. (at IC = 50A, VGE = 15V, Ta = 25℃) * Built in fast recovery diode in one package * Trench gate and thin wafer technology * High speed switching * tf = 74ns typ. (at IC = 30A, VCE = 400V, VGE = 15V, Rg = 5Ω, Ta = 25℃, inductive load)59721+￥55.241610+￥52.0720100+￥49.7174250+￥49.3552500+￥48.99301000+￥48.58542500+￥48.22325000+￥47.9968 -
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品类: IGBT晶体管描述: RENESAS RJH60F7DPQ-A0#T0 单晶体管, IGBT, 90 A, 1.6 V, 328.9 W, 600 V, TO-247, 3 引脚14131+￥226.883510+￥220.964850+￥216.4271100+￥214.8488200+￥213.6651500+￥212.08681000+￥211.10032000+￥210.1139 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT70521+￥48.482810+￥45.7010100+￥43.6345250+￥43.3166500+￥42.99871000+￥42.64102500+￥42.32315000+￥42.1244 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192300mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube27001+￥393.587510+￥383.320050+￥375.4483100+￥372.7103200+￥370.6568500+￥367.91881000+￥366.20752000+￥364.4963 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT40541+￥45.335210+￥42.7340100+￥40.8017250+￥40.5044500+￥40.20711000+￥39.87272500+￥39.57545000+￥39.3896 -
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGTH60TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚71775+￥6.277525+￥5.812550+￥5.4870100+￥5.3475500+￥5.25452500+￥5.13835000+￥5.091810000+￥5.0220 -
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGTH50TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚63625+￥31.707050+￥30.3520200+￥29.5932500+￥29.40351000+￥29.21382500+￥28.99705000+￥28.86157500+￥28.7260 -
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGT80TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚39715+￥20.077250+￥19.2192200+￥18.7387500+￥18.61861000+￥18.49852500+￥18.36125000+￥18.27547500+￥18.1896 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules95241+￥152.352010+￥148.377650+￥145.3306100+￥144.2707200+￥143.4758500+￥142.41601000+￥141.75362000+￥141.0912 -
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品类: IGBT晶体管描述: 迅雷高速NPT IGBT Thunderbolt High Speed NPT IGBT22041+￥66.481510+￥63.5910100+￥63.0707250+￥62.6660500+￥62.03011000+￥61.74112500+￥61.33645000+￥60.9896 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin(3+Tab) TO-24716421+￥70.311010+￥67.2540100+￥66.7037250+￥66.2758500+￥65.60321000+￥65.29752500+￥64.86955000+￥64.5027 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules59535+￥23.376650+￥22.3776200+￥21.8182500+￥21.67831000+￥21.53842500+￥21.37865000+￥21.27877500+￥21.1788 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P(LH)31561+￥317.434510+￥309.153650+￥302.8049100+￥300.5967200+￥298.9405500+￥296.73231000+￥295.35212000+￥293.9720 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGIPL14K60 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 600 V, 44 W, SDIP84951+￥150.075010+￥146.160050+￥143.1585100+￥142.1145200+￥141.3315500+￥140.28751000+￥139.63502000+￥138.9825 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。360610+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG7PH35UD1-EP 晶体管, IGBT, 1200V, 50A54395+￥25.365650+￥24.2816200+￥23.6746500+￥23.52281000+￥23.37102500+￥23.19765000+￥23.08927500+￥22.9808 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。39451+￥39.308410+￥37.0530100+￥35.3776250+￥35.1198500+￥34.86201000+￥34.57212500+￥34.31435000+￥34.1532 -
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品类: IGBT晶体管描述: International Rectifier IRG7PH35UD1PBF, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247AC封装294410+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube36015+￥22.838450+￥21.8624200+￥21.3158500+￥21.17921000+￥21.04262500+￥20.88645000+￥20.78887500+￥20.6912 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT57311+￥43.383210+￥40.8940100+￥39.0449250+￥38.7604500+￥38.47591000+￥38.15592500+￥37.87145000+￥37.6936 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube51321+￥48.238810+￥45.4710100+￥43.4149250+￥43.0986500+￥42.78231000+￥42.42642500+￥42.11015000+￥41.9124 -
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品类: IGBT晶体管描述: 智能功率模块的前端整流器概述 Smart Power Module for Front-End Rectifier General Description29971+￥112.665510+￥107.7670100+￥106.8853250+￥106.1995500+￥105.12181000+￥104.63202500+￥103.94625000+￥103.3584 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG7PH35UD-EP 单晶体管, IGBT, N通道, 50 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 新26955+￥11.746850+￥11.2448200+￥10.9637500+￥10.89341000+￥10.82312500+￥10.74285000+￥10.69267500+￥10.6424 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24771501+￥777.035410+￥749.771050+￥746.3630100+￥742.9549150+￥737.5020250+￥732.7308500+￥727.95951000+￥722.5066
